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NCEP60T12A

更新时间： 2024-04-09 18:58:57

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新洁能 - NCEPOWER		/
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7页	393K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开

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NCEP60T12A 数据手册

http://www.ncepower.com

NCEP60T12A

Typical Electrical and Thermal Characteristics

V_GS=10V

I_D=60 A

Vds Drain-Source Voltage (V)

T_J-Junction Temperature(℃)

Figure 1 Output Characteristics

Figure 4 Rdson-JunctionTemperature

V_DS=30V

I_D=60A

Vgs Gate-Source Voltage (V)

Qg Gate Charge (nC)

Figure 2 Transfer Characteristics

Figure 5 Gate Charge

I_D- Drain Current (A)

Vsd Source-Drain Voltage (V)

Figure 3 Rdson- Drain Current

Figure 6 Source- Drain Diode Forward

Wuxi NCE Power Co., Ltd

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V1.0

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