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NCEP85T14

更新时间： 2024-11-19 15:18:51
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
7页 386K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开

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NCEP85T14 数据手册

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http://www.ncepower.com  
NCEP85T14  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The NCEP85T14 uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
switching power losses are minimized due to an extremely  
low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
Schematic diagram  
General Features  
● VDS =85V,ID =140A  
RDS(ON) <4.1mΩ @ VGS=10V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 175 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Marking and pin assignment  
● 100% UIS tested  
Application  
● DC/DC Converter  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
100% UIS TESTED!  
TO-220-3L top view  
100% ∆Vds TESTED!  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP85T14  
NCEP85T14  
TO-220-3L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
85  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
A
VDS  
±20  
VGS  
140  
99  
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
A
A
420  
Maximum Power Dissipation  
200  
W
PD  
Derating factor  
1.3  
W/℃  
mJ  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
Drain Source voltage slope, VDS ≤68V,  
Reverse diode dv/dt, VDS ≤68 V, ISD<ID  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
dv/dt  
1000  
50  
V/ns  
V/ns  
℃
15  
dv/dt  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
v2.0  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP85T14D NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP85T15 NCEPOWER

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