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NCEP85T30LL

更新时间： 2024-11-19 15:19:43

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新洁能 - NCEPOWER		/
页数	文件大小	规格书
6页	333K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开

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NCEP85T30LL

NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET

Description

General Features

The NCEP85T30LL uses Super Trench technology that is

uniquely optimized to provide the most efficient high

frequency switching performance. Both conduction and

switching power losses are minimized due to an extremely low

combination of R_DS(ON)and Q_g. This device is ideal for

high-frequency switching and synchronous rectification.

● V_DS=85V,I_D=330A

_DS(ON)=1.6mΩ , typical @ V_GS=10V

● Excellent gate charge x R_DS(on)product(FOM)

● Very low on-resistance R_DS(on)

● 175 °C operating temperature

● Pb-free lead plating

Application

● DC/DC Converter

●Ideal for high-frequency switching and synchronous

100% UIS TESTED!

rectification

100% ∆Vds TESTED!

TOLL

Schematic Diagram

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

NCEP85T30LL

TOLL

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

V^DS

±20

V^GS

330

231

I_D

Drain Current-Continuous(T_C=100℃)

Pulsed Drain Current

I_D(100℃)

I_DM

1320

450

Maximum Power Dissipation

P_D

Derating factor

Single pulse avalanche energy ^{(Note 5)}

3.0

W/℃

℃

E_AS

2000

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 175

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Case

R_θJC

0.33

℃/W

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page1

V2.0

http://www.ncepower.com

12 3 4 5 6

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