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NCEP60T12AD

更新时间: 2024-11-19 17:01:23
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
7页 1113K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性,在降低系统设计难度的同时,提供了性价比。广泛应用于开

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Pb Free Product  
NCEP60T12AD  
http://www.ncepower.com  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The NCEP60T12AD uses Super Trench technology that is  
General Features  
uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
switching power losses are minimized due to an extremely low  
combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
VDS =60V,ID =120A  
RDS(ON) < 4.0mΩ @ VGS=10V (Typ:3.5mΩ)  
RDS(ON) < 5.0mΩ @ VGS=4.5V (Typ:4.0mΩ)  
Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
Very low on-resistance RDS(on)  
175 °C operating temperature  
Application  
Pb-free lead plating  
DC/DC Converter  
100% UIS TESTED!  
100% ΔVds TESTED!  
Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
TO-263  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP60T12AD  
NCEP60T12AD  
TO-263  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
60  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
±20  
VGS  
Drain Current-Continuous (Silicon Limited)  
Drain Current-Continuous(TC=100)  
Pulsed Drain Current  
120  
100  
480  
180  
1.2  
A
ID  
ID (100)  
IDM  
A
A
Maximum Power Dissipation  
W
PD  
Derating factor  
W/℃  
mJ  
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
500  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
RθJC  
0.83  
/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V1.0  

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