5秒后页面跳转
NCEP60T15G PDF预览

NCEP60T15G

更新时间: 2024-11-19 15:18:51
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
7页 974K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性,在降低系统设计难度的同时,提供了性价比。广泛应用于开

NCEP60T15G 数据手册

 浏览型号NCEP60T15G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NCEP60T15G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NCEP60T15G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NCEP60T15G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NCEP60T15G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NCEP60T15G的Datasheet PDF文件第7页 
http://www.ncepower.com  
NCEP60T15G  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The NCEP60T15G uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
switching power losses are minimized due to an extremely  
low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
Schematic diagram  
General Features  
VDS =60V,ID =150A  
RDS(ON) < 3.3mΩ @ VGS=10V (Typ:2.8mΩ)  
Excellent gate charge x RDS(on) product  
Very low on-resistance RDS(on)  
150 °C operating temperature  
Pb-free lead plating  
Marking and pin assignment  
100% UIS tested  
D
D
D
D
D
D
D
D
Application  
DC/DC Converter  
Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
100% UIS TESTED!  
S
S
S
G
G
S
S
S
100% ΔVds TESTED!  
Top View  
Bottom View  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
P60T15G  
NCEP60T15G  
DFN5X6-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
60  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
±20  
VGS  
Drain Current-Continuous  
150  
106  
600  
200  
1.6  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100)  
Pulsed Drain Current  
ID (100)  
IDM  
A
A
Maximum Power Dissipation  
Derating factor  
W
PD  
W/℃  
mJ  
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
819  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V2.0  

与NCEP60T15G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP60T18 NCEPOWER

获取价格

新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以
NCEP60T18A NCEPOWER

获取价格

新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以
NCEP60T18D NCEPOWER

获取价格

新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以
NCEP60T20 NCEPOWER

获取价格

新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以
NCEP60T20A NCEPOWER

获取价格

新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以
NCEP60T20D NCEPOWER

获取价格

新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以
NCEP60T20LL NCEPOWER

获取价格

新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以
NCEP60T20T NCEPOWER

获取价格

新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以
NCEP8588 NCEPOWER

获取价格

新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以
NCEP85T10G NCEPOWER

获取价格

新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以