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NCEP40T17G

更新时间： 2024-04-09 19:00:47

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新洁能 - NCEPOWER		/
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6页	363K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开

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NCEP40T17G 数据手册

Pb Free Product

http://www.ncepower.com

Thermal Characteristic

NCEP40T17G

Thermal Resistance,Junction-to-Case^{(Note 2)}

R_θJC

1.31

℃/W

Electrical Characteristics (T_C=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Condition

Min Typ

Max

Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate-Body Leakage Current

On Characteristics ^{(Note 3)}

BV_DSS

I_DSS

V_GS=0V I_D=250μA

V_DS=40V,V_GS=0V

V_GS=±20V,V_DS=0V

μA

I_GSS

±100

Gate Threshold Voltage

V_GS(th)

R_DS(ON)

g_FS

V_DS=V_GS,I_D=250μA

V_GS=10V, I_D=85A

V_GS=4.5V, I_D=85A

V_DS=5V,I_D=85A

1.2

1.5

1.25

1.55

2.2

1.5

1.95

mΩ

Drain-Source On-State Resistance

Forward Transconductance

Dynamic Characteristics ^(Note4)

Input Capacitance

C_lss

C_oss

C_rss

7400

1930

110

8800

2300

130

V_DS=20V,V_GS=0V,

F=1.0MHz

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Switching Characteristics ^{(Note 4)}

Turn-on Delay Time

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

14.1

7.9

56.5

9.6

125

Turn-on Rise Time

V_DD=20V,I_D=85A

V_GS=10V,R_G=1.6Ω

Turn-Off Delay Time

Turn-Off Fall Time

Total Gate Charge

Q_g

Q_gs

Q_gd

140

V_DS=20V,I_D=85A,

Gate-Source Charge

V_GS=10V

Gate-Drain Charge

Drain-Source Diode Characteristics

Diode Forward Voltage ^{(Note 3)}

Diode Forward Current ^{(Note 2)}

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

V_SD

I_S

V_GS=0V,I_S=85A

1.2

170

t_rr

T_J= 25°C, I_F= I_S

di/dt = 100A/μs^(Note3)

Qrr

124

Notes:

1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.

2. Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 10 sec.

3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300μs, Duty Cycle ≤ 2%.

4. Guaranteed by design, not subject to production

5. EAS condition : Tj=25℃,V_DD=20V,V_G=10V,L=0.5mH,Rg=25Ω

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 2

V1.0

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