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NCEP6060GU

更新时间： 2024-11-19 17:00:55
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
7页 688K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开

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http://www.ncepower.com  
NCEP6060GU  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The NCEP6060GU uses Super Trench technology that is  
General Features  
uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
● VDS =60V,ID =60A  
RDS(ON)=5.6mΩ (typical) @ VGS=10V  
switching power losses are minimized due to an extremely low ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 150 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
● DC/DC Converter  
●
Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
100% UIS TESTED!  
100% ΔVds TESTED!  
DFN 5X6  
Top View  
Bottom View  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
P6060GU  
NCEP6060GU  
DFN5X6-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
60  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
±20  
V
VGS  
Drain Current-Continuous (Silicon Limited)  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
60  
42.4  
170  
70  
A
A
ID  
ID (100℃)  
IDM  
A
Maximum Power Dissipation  
W
PD  
Derating factor  
0.56  
320  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2)  
RθJC  
RθJA  
1.78  
50  
℃/W  
℃/W  
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient(Note 2)  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V3.0  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP6080AG NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
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 		????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual（双芯）MOSFET
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