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NCEP40T11AK

更新时间: 2024-05-07 20:39:24
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新洁能 - NCEPOWER /
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7页 1124K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性,在降低系统设计难度的同时,提供了性价比。广泛应用于开

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NCEP40T11AK  
Typical Electrical and Thermal Characteristics  
Vds Drain-Source Voltage (V)  
TJ-Junction Temperature()  
Figure 1 Output Characteristics  
Figure 4 Rdson-JunctionTemperature  
Vgs Gate-Source Voltage (V)  
Qg Gate Charge (nC)  
Figure 2 Transfer Characteristics  
Figure 5 Gate Charge  
ID- Drain Current (A)  
Vsd Source-Drain Voltage (V)  
Figure 3 Rdson- Drain Current  
Figure 6 Source- Drain Diode Forward  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page3  
V1.0  

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