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NCE65N800D

更新时间： 2024-04-09 19:00:21

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新洁能 - NCEPOWER		/
页数	文件大小	规格书
8页	816K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品。采用第四代技术超结技术的产品，具有优异的性能，实现了业界先进的超低特征导通电阻（Ron,sp），在相同体

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NCE65N800D 数据手册

NCE65N800D

TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS (curves)

Figure1. Safe operating area

Figure2. Source-Drain Diode Forward Voltage

Figure3. Output characteristics

Figure4. Transfer characteristics

Figure5. Static drain-source on resistance

Figure6. R_DS(ON)vs Junction Temperature

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 3

http://www.ncepower.com

V1.0

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