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NCE65NF099

更新时间: 2024-11-22 15:18:47
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新洁能 - NCEPOWER 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 728K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产品。基于新洁能SJ-IV技术的基础上,在保证业界先进的超低特征导通电阻的前提下,特别优化了体二极管特性,减

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NCE65NF099  
N-Channel Super Junction Power MOSFET   
General Description  
The series of devices use advanced trench gate super  
junction technology and design to provide ultra-low RDS(ON)  
and low gate charge and With a rapid recovery body  
diode.This super junction MOSFET fits the industry’s AC-DC  
SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion,  
industrial power applications,Fast charger, new energy  
vehicle charging pile, on-board OBC etc.  
VDS min@Tjmax  
RDS(ON)TYP  
ID  
710  
85  
V
mΩ  
A
36  
Qg  
55  
nC  
Features  
New technology for high voltage device  
Ultra low on-resistance and ultra low conduction losses  
Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements  
Diode reverse recovery speed is super fast  
High reliability  
ROHS compliant  
Application  
Schematic diagram  
Power factor correctionPFC)  
Switched mode power supplies(SMPS)  
Uninterruptible Power SupplyUPS)  
On-board charger(OBC)  
Intrinsic fast-recovery body diode  
Package Marking And Ordering Information  
Device  
Device Package  
Marking  
NCE65NF099  
TO-220  
NCE65NF099  
TO-220  
Table 1. Absolute Maximum Ratings (TC=25)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Value  
650  
±30  
±20  
36  
Unit  
V
Drain-Source Voltage (VGS=0V)  
V
Gate-Source Voltage (VDS=0V) AC (f>1 Hz)  
Gate-Source Voltage (VDS=0V) DC  
Continuous Drain Current at Tc=25°C  
Continuous Drain Current at Tc=100°C  
VGS  
V
VGS  
A
ID (DC)  
ID (DC)  
IDM (pluse)  
PD  
25.2  
108  
346  
2.30  
324  
9
A
(Note 1)  
A
Pulsed drain current  
Maximum Power Dissipation(Tc=25)  
W
Derate above 25°C  
W/°C  
mJ  
A
(Note 2)  
EAS  
IAS  
Single pulse avalanche energy  
Avalanche current(Note 1)  
Repetitive Avalanche energy tAR limited by Tjmax  
(Note 1)  
3.9  
EAR  
mJ  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 1  
http://www.ncepower.com  
V1.1  

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