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NCE65NF099T

更新时间： 2024-11-19 17:01:43
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 二极管
页数 文件大小 规格书
9页 856K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产品。基于新洁能SJ-IV技术的基础上，在保证业界先进的超低特征导通电阻的前提下，特别优化了体二极管特性，减

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NCE65NF099T  
N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅳ  
General Description  
The series of devices use advanced trench gate super  
junction technology and design to provide ultra-low RDS(ON)  
and low gate charge and With a rapid recovery body  
diode.This super junction MOSFET fits the industry’s AC-DC  
SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion,  
industrial power applications,Fast charger, new energy  
vehicle charging pile, on-board OBC etc.  
VDS min@Tjmax  
RDS(ON)TYP  
ID  
710  
V
mΩ  
A
85  
36  
55  
Qg  
nC  
Features  
●New technology for high voltage device  
●Ultra low on-resistance and ultra low conduction losses  
●Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements  
●Diode reverse recovery speed is super fast  
●High reliability  
●ROHS compliant  
Application  
Schematic diagram  
●
●
●
●
Power factor correction（PFC）  
Switched mode power supplies(SMPS)  
Uninterruptible Power Supply（UPS）  
On-board charger(OBC)  
Intrinsic fast-recovery body diode  
Package Marking And Ordering Information  
Device  
Device Package  
Marking  
NCE65NF099T  
TO-247-3L  
NCE65NF099T  
Table 1. Absolute Maximum Ratings (TC=25℃)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Value  
650  
±30  
±20  
36  
Unit  
V
Drain-Source Voltage (VGS=0V）  
V
Gate-Source Voltage (VDS=0V) AC (f>1 Hz)  
Gate-Source Voltage (VDS=0V) DC  
Continuous Drain Current at Tc=25°C  
Continuous Drain Current at Tc=100°C  
VGS  
V
VGS  
A
ID (DC)  
ID (DC)  
IDM (pluse)  
PD  
25.2  
108  
346  
2.30  
484  
11  
A
(Note 1)  
A
Pulsed drain current  
Maximum Power Dissipation(Tc=25℃)  
W
Derate above 25°C  
W/°C  
mJ  
A
(Note 2)  
EAS  
IAR  
Single pulse avalanche energy  
Avalanche current(Note 1)  
Repetitive Avalanche energy ，tAR limited by Tjmax  
(Note 1)  
3.9  
EAR  
mJ  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 1  
http://www.ncepower.com  
V1.0  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCE65NF099V NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产
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