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NCE65N800D

更新时间： 2024-04-09 19:00:21

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新洁能 - NCEPOWER		/
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8页	816K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品。采用第四代技术超结技术的产品，具有优异的性能，实现了业界先进的超低特征导通电阻（Ron,sp），在相同体

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NCE65N800D 数据手册

NCE65N800D

Table 2. Thermal Characteristic

Parameter

Symbol

R_thJC

Value

2.14

Unit

°C /W

Thermal Resistance，Junction-to-Case（Maximum）

Thermal Resistance，Junction-to-Ambient （Maximum）

R_thJA

Table 3. Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Condition

Min

Typ

Max

Unit

On/off states

Drain-Source Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=25℃)

Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=125℃)

Gate-Body Leakage Current

Gate Threshold Voltage

BV_DSS

I_DSS

V_GS=0V I_D=250uA

V_DS=650V,V_GS=0V

V_GS=±20V,V_DS=0V

V_DS=V_GS,I_D=250uA

V_GS=10V, I_D=2.9A

650

μA

I_DSS

I_GSS

±200

V_GS(th)

R_DS(ON)

Drain-Source On-State Resistance

Dynamic Characteristics

Gate Resistance

700

800

mΩ

C_lss

C_oss

C_rss

Q_g

F=1MHZ, D-S short

314

Input Capacitance

V_DS=50V,V_GS=0V,

F=1MHz

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Total Gate Charge

3.5

8.7

1.7

3.0

5.1

Gate-Source Charge

Q_gs

Q_gd

Vgp

V_DS=480V,I_D=3A,

V_GS=10V

Gate-Drain Charge

Gate plateau voltage

Switching times

Turn-on Delay Time

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Turn-on Rise Time

V_DD=480V,I_D=3A,

R_G=4Ω,V_GS=10V

Turn-Off Delay Time

Turn-Off Fall Time

Source- Drain Diode Characteristics

Source-drain current(Body Diode)

Pulsed-Source-drain current(Body Diode)

Forward on voltage

I_SD

I_SDM

V_SD

t_rr

5.8

17.4

1.1

T_C=25°C

Tj=25°C,I_SD=5.8A,V_GS=0V

0.9

195

0.68

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

Peak reverse recovery current

Tj=25°C,I_F=3A,

di/dt=100A/μs

Q_rr

I_rrm

Notes: 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature

2. Tj=25℃,VDD=50V,VG=10V, R_G=25Ω

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 2

http://www.ncepower.com

V1.0

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