5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NCE65NF068V
NCE65NF068V PDF预览

NCE65NF068V

更新时间： 2024-11-19 17:01:15
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 726K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产品。基于新洁能SJ-IV技术的基础上，在保证业界先进的超低特征导通电阻的前提下，特别优化了体二极管特性，减

阅读下载

中文翻译

获取价格

NCE65NF068V 数据手册

 浏览型号NCE65NF068V的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NCE65NF068V的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NCE65NF068V的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NCE65NF068V的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NCE65NF068V的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NCE65NF068V的Datasheet PDF文件第7页 
NCE65NF068V  
N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅳ  
General Description  
The series of devices use advanced trench gate super  
junction technology and design to provide excellent RDS(ON)  
with low gate charge. This super junction MOSFET fits the  
industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC  
power conversion, and industrial power applications.  
VDS min@Tjmax  
RDS(ON)TYP  
ID  
710  
V
mΩ  
A
60  
45  
65  
Qg  
nC  
Features  
●Optimized body diode reverse recovery performance  
●Low on-resistance and low conduction losses  
●Small package  
●Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements  
●100% Avalanche Tested  
●ROHS compliant  
Schematic diagram  
Application  
●
●
●
●
Power factor correction（PFC）  
Switched mode power supplies(SMPS)  
Uninterruptible Power Supply（UPS）  
LLC Half-bridge  
Intrinsic fast-recovery body diode  
Package Marking And Ordering Information  
Device  
Device Package  
Marking  
NCE65NF068V  
DFN8*8  
NCE65NF068V  
Table 1. Absolute Maximum Ratings (TC=25℃)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Value  
650  
Unit  
V
Drain-Source Voltage (VGS=0V）  
Gate-Source Voltage (VDS=0V) AC (f>1 Hz)  
Gate-Source Voltage (VDS=0V) DC  
Continuous Drain Current at Tc=25°C  
Continuous Drain Current at Tc=100°C  
Pulsed drain current (Note 1)  
±30  
±20  
45  
V
VGS  
V
VGS  
A
ID (DC)  
ID (DC)  
IDM (pluse)  
PD  
31.5  
135  
A
A
Maximum Power Dissipation(Tc=25°C)  
Derate above 25°C  
371  
W
2.47  
400  
W/°C  
mJ  
A
Single pulse avalanche energy (Note 2)  
Avalanche current(Note 1)  
EAS  
IAS  
10  
(Note 1)  
Repetitive Avalanche energy ，tAR limited by Tjmax  
0.9  
EAR  
mJ  
V/ns  
V/ns  
°C  
Drain Source voltage slope, VDS ≤480 V,  
Reverse diode dv/dt，VDS ≤480 V,ISD<ID  
50  
dv/dt  
dv/dt  
TJ,TSTG  
50  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55...+175  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 1  
http://www.ncepower.com V1.1  
1234567

中文翻译

下载PDF

与NCE65NF068V相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCE65NF099 NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产
NCE65NF099D NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产
NCE65NF099F NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产
NCE65NF099LL NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产
NCE65NF099T NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产
NCE65NF099V NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产
NCE65NF130 NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产
NCE65NF130D NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产
NCE65NF130F NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产
NCE65NF130LL NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产

与NCE65NF068V相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证