型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
NCE30TD65BD | NCEPOWER | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje |
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NCE30TD65BP | NCEPOWER | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje |
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NCE30TD65BT | NCEPOWER | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje |
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NCE30TH60BP | NCEPOWER | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje |
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NCE3134* | NCEPOWER | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE |
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NCE3400 | NCEPOWER | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE |
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