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NCE3401AY

更新时间: 2024-03-03 10:09:41
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新洁能 - NCEPOWER 开关
页数 文件大小 规格书
7页 267K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

NCE3401AY 数据手册

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http://www.ncepower.com  
NCE3401AY  
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET  
Description  
D
The NCE3401AY uses advanced trench technology to provide  
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate  
voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a  
load switch or in PWM applications.  
G
S
Schematic diagram  
General Features  
VDS = -30V,ID = -4.4A  
RDS(ON) < 120m@ VGS=-2.5V  
R
DS(ON) < 65m@ VGS=-4.5V  
DS(ON) < 52m@ VGS=-10V  
R
High power and current handing capability  
Lead free product is acquired  
Surface mount package  
Marking and pin Assignment  
Application  
PWM applications  
Load switch  
Power management  
SOT-23-3L top view  
Package Marking And Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
3000 units  
3401AY  
NCE3401AY  
SOT-23-3L  
Ø180mm  
8 mm  
Absolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)  
Parameter Symbol  
Limit  
-30  
Unit  
Drain-Source Voltage  
V
V
VDS  
VGS  
ID  
Gate-Source Voltage  
±12  
-4.4  
-30  
Drain Current-Continuous  
Drain Current-Pulsed (Note 1)  
A
A
IDM  
Maximum Power Dissipation  
1.3  
W
PD  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)  
RθJA  
95  
/W  
Electrical Characteristics (TA=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Min Typ Max  
Unit  
Off Characteristics  
Drain-Source Breakdown Voltage  
BVDSS  
VGS=0V ID=-250μA  
-30  
-33  
-
V
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 1  
v3.0  

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