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NCE3404Y

更新时间： 2024-11-19 17:01:23

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新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	253K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE3404Y 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE3404Y

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE3404Y uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON)and low gate charge.This device is suitable

for use as a load switch and PWM applications.

Genera Features

● V_DS= 30V,I_D= 5.8A

R_DS(ON)< 28mΩ @ V_GS=10V

Schematic diagram

R_DS(ON)< 40mΩ @ V_GS=4.5V

● High Power and current handing capability

● Lead free product is acquired

● Surface mount package

Marking and pin assignment

Application

●Load switch

●PWM application

SOT-23-3L top view

Tape width

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Quantity

3000 units

3404Y

NCE3404Y

SOT-23-3L

Ø180mm

8 mm

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

V^DS

Gate-Source Voltage

±20

V^GS

Drain Current-Continuous

Drain Current-Pulsed ^{(Note 1)}

5.8

I_D

I_DM

Maximum Power Dissipation

1.4

℃

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient ^{(Note 2)}

R_θJA

℃/W

Electrical Characteristics (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Condition

Min Typ

Max

Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

BV_DSS

I_DSS

V_GS=0V I_D=250μA

V_DS=30V,V_GS=0V

μA

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 1

V2.0

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