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NCE3401Y

更新时间： 2024-11-19 15:18:55

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新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	243K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE3401Y 数据手册

Pb Free Product

http://www.ncepower.com

NCE3401Y

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE3401Y uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with gate

voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a

load switch or in PWM applications.

Schematic diagram

General Features

● V_DS= -30V,I_D= -4.2A

R_DS(ON)< 90mΩ @ V_GS=-2.5V

_DS(ON)< 75mΩ @ V_GS=-4.5V

_DS(ON)< 55mΩ @ V_GS=-10V

● High power and current handing capability

● Lead free product is acquired

● Surface mount package

Marking and pin Assignment

Application

●PWM applications

●Load switch

●Power management

SOT-23-3L top view

Package Marking And Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

3000 units

3401Y

NCE3401Y

SOT-23-3L

Ø180mm

8 mm

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter Symbol

Limit

-30

Unit

Drain-Source Voltage

V^DS

V^GS

I_D

Gate-Source Voltage

±12

-4.2

-30

Drain Current-Continuous

Drain Current-Pulsed ^{(Note 1)}

I_DM

Maximum Power Dissipation

1.2

℃

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient ^{(Note 2)}

R_θJA

104

℃/W

Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Condition

Min Typ Max

Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage

BV_DSS

V_GS=0V I_D=-250μA

-30

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

Page 1

v1.1

12 3 4 5 6 7

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