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NCE3406AN

更新时间: 2024-11-19 15:19:47
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新洁能 - NCEPOWER 开关
页数 文件大小 规格书
8页 271K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

NCE3406AN 数据手册

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http://www.ncepower.com  
NCE3406AN  
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET  
Description  
The NCE3406AN uses advanced trench technology to provide  
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate  
voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a  
Battery protection or in other Switching application.  
Schematic diagram  
General Features  
VDS = 30V,ID = 6A  
RDS(ON) < 55m@ VGS=2.5V  
R
DS(ON) < 39m@ VGS=4.5V  
DS(ON) < 33m@ VGS=10V  
R
High power and current handing capability  
Lead free product is acquired  
Surface mount package  
Marking and pin assignment  
PWM applications  
Load switch  
Power management  
SOT23-6L top view  
Tape width  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Quantity  
3000 units  
3406AN  
NCE3406AN  
SOT23-6L  
Ø180mm  
8 mm  
Absolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
30  
V
V
VDS  
Gate-Source Voltage  
±12  
VGS  
Drain Current-Continuous  
Drain Current-Pulsed (Note 1)  
6
27  
A
ID  
A
IDM  
Maximum Power Dissipation  
2.0  
W
PD  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)  
RθJA  
62.5  
/W  
Electrical Characteristics (TA=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Min Typ  
Max  
Unit  
Off Characteristics  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Body Leakage Current  
On Characteristics (Note 3)  
BVDSS  
IDSS  
VGS=0V ID=250μA  
VDS=30V,VGS=0V  
VGS=±12V,VDS=0V  
30  
-
33  
-
-
1
V
μA  
nA  
IGSS  
-
-
±100  
Gate Threshold Voltage  
VGS(th)  
VDS=VGS,ID=250μA  
0.7  
0.9  
1.4  
V
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V3.0  

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