5秒后页面跳转
NCE3401BY PDF预览

NCE3401BY

更新时间: 2024-11-19 17:00:51
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 开关
页数 文件大小 规格书
7页 265K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

NCE3401BY 数据手册

 浏览型号NCE3401BY的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NCE3401BY的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NCE3401BY的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NCE3401BY的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NCE3401BY的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NCE3401BY的Datasheet PDF文件第7页 
http://www.ncepower.com  
NCE3401BY  
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET  
Description  
D
The NCE3401BY uses advanced trench technology to provide  
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate  
voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a  
load switch or in PWM applications.  
G
S
Schematic diagram  
Marking and pin Assignment  
SOT-23-3L top view  
General Features  
VDS = -30V,ID = -4.4A  
RDS(ON) < 70m@ VGS=-2.5V  
R
DS(ON) < 55m@ VGS=-4.5V  
DS(ON) < 45m@ VGS=-10V  
R
High power and current handing capability  
Lead free product is acquired  
Surface mount package  
Application  
PWM applications  
Load switch  
Power management  
Package Marking And Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
3000 units  
3401BY  
NCE3401BY  
SOT-23-3L  
Ø180mm  
8 mm  
Absolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)  
Parameter Symbol  
Limit  
-30  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
VDS  
VGS  
±12  
-4.4  
-3.1  
-30  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100)  
Drain Current-Pulsed (Note 1)  
ID (100)  
IDM  
A
A
Maximum Power Dissipation  
1.3  
W
PD  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
96  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)  
RθJA  
/W  
Electrical Characteristics (TA=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Min Typ  
Max  
Unit  
Off Characteristics  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Body Leakage Current  
On Characteristics (Note 3)  
BVDSS  
IDSS  
VGS=0V ID=-250μA  
VDS=-24V,VGS=0V  
VGS=±12V,VDS=0V  
-30  
-
V
-
-
-
-
-1  
μA  
nA  
IGSS  
±100  
Gate Threshold Voltage  
VGS(th)  
VDS=VGS,ID=-250μA  
-0.6  
-0.9  
-1.2  
V
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 1  
V1.0  

与NCE3401BY相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCE3401E NCEPOWER

获取价格

新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE
NCE3401Y NCEPOWER

获取价格

新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE
NCE3402 NCEPOWER

获取价格

新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE
NCE3402A NCEPOWER

获取价格

新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE
NCE3404 NCEPOWER

获取价格

新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE
NCE3404Y NCEPOWER

获取价格

新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE
NCE3406AN NCEPOWER

获取价格

新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE
NCE3406N NCEPOWER

获取价格

新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE
NCE3407 NCEPOWER

获取价格

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
NCE3407A NCEPOWER

获取价格

新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE