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NCE30P30K

更新时间: 2024-04-09 19:00:21
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新洁能 - NCEPOWER 开关
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7页 421K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

NCE30P30K 数据手册

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NCE30P30K  
Typical Electrical and Thermal Characteristics (Curves)  
-Vds Drain-Source Voltage (V)  
TJ-Junction Temperature()  
Figure 1 Output Characteristics  
Figure 4 Rdson-Junction Temperature  
Vgs Gate-Source Voltage (V)  
Qg Gate Charge (nC)  
Figure 2 Transfer Characteristics  
Figure 5 Gate Charge  
-ID- Drain Current (A)  
Vsd Source-Drain Voltage (V)  
Figure 3 Rdson- Drain Current  
Figure 6 Source- Drain Diode Forward  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page4  
v2.0  

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