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NCE2305A

更新时间： 2024-03-03 10:09:18

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新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	278K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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Pb Free Product

http://www.ncepower.com

NCE2305A

Parameter

Symbol

I_DSS

Condition

Min Typ Max

Unit

μA

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate-Body Leakage Current

On Characteristics ^{(Note 3)}

Gate Threshold Voltage

V_DS=-16V,V_GS=0V

V_GS=±12V,V_DS=0V

-1

I_GSS

±100

V_GS(th)

R_DS(ON)

g_FS

V_DS=V_GS,I_D=-250μA

V_GS=-4.5V, I_D=-4.1A

V_GS=-2.5V, I_D=-3A

V_DS=-5V,I_D=-4.1A

-0.45 -0.7

-1.0

mΩ

Drain-Source On-State Resistance

Forward Transconductance

Dynamic Characteristics ^(Note4)

Input Capacitance

C_lss

C_oss

C_rss

740

290

190

_DS=-4V,V_GS=0V,

Output Capacitance

F=1.0MHz

Reverse Transfer Capacitance

Switching Characteristics ^{(Note 4)}

Turn-on Delay Time

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Turn-on Rise Time

V_DD=-4V,I_D=-4.1A ,

R_L=-1.2Ω,V_GEN=-4.5V,R_g=1Ω

Turn-Off Delay Time

Turn-Off Fall Time

Total Gate Charge

Q_g

Q_gs

Q_gd

7.8

1.2

1.6

V_DS=-4V,I_D=-4.1A,V_GS=-4.5V

V_GS=0V,I_S=-4.1A

Gate-Source Charge

Gate-Drain Charge

Drain-Source Diode Characteristics

Diode Forward Voltage ^{(Note 3)}

Diode Forward Current ^{(Note 2)}

V_SD

I_S

-1.2

-4.1

Notes:

1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.

2. Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 10 sec.

3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300μs, Duty Cycle ≤ 2%.

4. Guaranteed by design, not subject to production

Wuxi NCE Power Co., Ltd

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v1.1

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