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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, DIP24,.6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.28 |
| 最长访问时间： | 35 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | OTP ROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 75 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP24,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | OTP ROMs |
| 最大压摆率： | 0.175 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | COMMERCIAL EXTENDED | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| N82S191CN-B | ETC |
获取价格 |
x8 PROM |
|
| N82S191F | PHILIPS |
获取价格 |
OTP ROM, 2KX8, 80ns, TTL, CDIP24 |
|
| N82S191N | ETC |
获取价格 |
x8 PROM |
|
| N82S191NB | NXP |
获取价格 |
IC 2K X 8 OTPROM, 80 ns, PDIP24, Programmable ROM |
|
| N82S191N-B | ETC |
获取价格 |
x8 PROM |
|
| N82S19A | NXP |
获取价格 |
IC 64 X 9 STANDARD SRAM, 35 ns, PQCC28, Static RAM |
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| N82S19F-B | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM |
|
| N82S19N | PHILIPS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64X9, 35ns, TTL, PDIP28 |
|
| N82S19NB | NXP |
获取价格 |
IC 64 X 9 STANDARD SRAM, 35 ns, PDIP28, Static RAM |
|
| N82S19N-B | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM |
|
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