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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.89 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 35 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 9 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 64 words |
| 字数代码： | 64 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 75 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64X9 | 输出特性： | OPEN-COLLECTOR |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.19 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | TTL |
| 温度等级： | COMMERCIAL EXTENDED | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| N82S19N-B | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM |
|
| N82S212 | ETC |
获取价格 |
2304 BIT BIPOLAR RAM |
|
| N82S212A | YAGEO |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X9, 45ns, TTL, PQCC28 |
|
| N82S212AN | YAGEO |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X9, 35ns, TTL, PDIP22 |
|
| N82S212AN-B | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM |
|
| N82S212F | PHILIPS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X9, 45ns, TTL, CDIP22 |
|
| N82S212FB | PHILIPS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X9, 45ns, TTL, CDIP22 |
|
| N82S212N | YAGEO |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X9, 45ns, TTL, PDIP22 |
|
| N82S212NA | PHILIPS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X9, 45ns, TTL, PDIP22 |
|
| N82S212N-B | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM |
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