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N82S21F

更新时间: 2024-11-06 21:21:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 79K
描述
IC 32 X 2 STANDARD SRAM, 50 ns, CDIP16, Static RAM

N82S21F 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.88最长访问时间:50 ns
JESD-30 代码:R-GDIP-T16JESD-609代码:e0
内存密度:64 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:2功能数量:1
端口数量:1端子数量:16
字数:32 words字数代码:32
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:75 °C
最低工作温度:组织:32X2
输出特性:OPEN-COLLECTOR可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:TTL
温度等级:COMMERCIAL EXTENDED端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

N82S21F 数据手册

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