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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.88 | 最长访问时间： | 50 ns |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T16 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 64 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 2 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 16 |
| 字数： | 32 words | 字数代码： | 32 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 75 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32X2 | |
| 输出特性： | OPEN-COLLECTOR | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP16,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | TTL |
| 温度等级： | COMMERCIAL EXTENDED | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| N82S226B | NXP |
获取价格 |
IC 256 X 4 OTPROM, 50 ns, PDIP16, Programmable ROM |
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| N82S226F | NXP |
获取价格 |
IC 256 X 4 OTPROM, 50 ns, CDIP16, Programmable ROM |
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| N82S229B | NXP |
获取价格 |
IC 256 X 4 OTPROM, 50 ns, PDIP16, Programmable ROM |
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| N82S229F | NXP |
获取价格 |
IC 256 X 4 OTPROM, 50 ns, CDIP16, Programmable ROM |
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| N82S230F | NXP |
获取价格 |
512X4 OTPROM, 50ns, CDIP16 |
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| N82S23A | NXP |
获取价格 |
256-bit TTL bipolar PROM 32 x 8 |
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| N82S23AA | YAGEO |
获取价格 |
OTP ROM, 32X8, 25ns, Bipolar, PQCC20 |
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| N82S23AD | YAGEO |
获取价格 |
OTP ROM, 32X8, 25ns, Bipolar, PDSO16 |
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| N82S23AF | PHILIPS |
获取价格 |
OTP ROM, 32X8, 25ns, TTL, CDIP16 |
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| N82S23AN | YAGEO |
获取价格 |
OTP ROM, 32X8, 25ns, Bipolar, PDIP16, |
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