是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.88 | 最长访问时间: | 50 ns |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T16 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 64 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 2 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 16 |
字数: | 32 words | 字数代码: | 32 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 75 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32X2 | |
输出特性: | OPEN-COLLECTOR | 可输出: | NO |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP16,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | TTL |
温度等级: | COMMERCIAL EXTENDED | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
N82S226B | NXP |
获取价格 |
IC 256 X 4 OTPROM, 50 ns, PDIP16, Programmable ROM | |
N82S226F | NXP |
获取价格 |
IC 256 X 4 OTPROM, 50 ns, CDIP16, Programmable ROM | |
N82S229B | NXP |
获取价格 |
IC 256 X 4 OTPROM, 50 ns, PDIP16, Programmable ROM | |
N82S229F | NXP |
获取价格 |
IC 256 X 4 OTPROM, 50 ns, CDIP16, Programmable ROM | |
N82S230F | NXP |
获取价格 |
512X4 OTPROM, 50ns, CDIP16 | |
N82S23A | NXP |
获取价格 |
256-bit TTL bipolar PROM 32 x 8 | |
N82S23AA | YAGEO |
获取价格 |
OTP ROM, 32X8, 25ns, Bipolar, PQCC20 | |
N82S23AD | YAGEO |
获取价格 |
OTP ROM, 32X8, 25ns, Bipolar, PDSO16 | |
N82S23AF | PHILIPS |
获取价格 |
OTP ROM, 32X8, 25ns, TTL, CDIP16 | |
N82S23AN | YAGEO |
获取价格 |
OTP ROM, 32X8, 25ns, Bipolar, PDIP16, |