5秒后页面跳转
N82S25N PDF预览

N82S25N

更新时间: 2024-01-21 00:52:28
品牌 Logo 应用领域
国巨 - YAGEO 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 103K
描述
Standard SRAM, 16X4, 50ns, TTL, PDIP16

N82S25N 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.88最长访问时间:50 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T16JESD-609代码:e0
内存密度:64 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:16
字数:16 words字数代码:16
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:75 °C
最低工作温度:组织:16X4
输出特性:OPEN-COLLECTOR可输出:NO
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

N82S25N 数据手册

 浏览型号N82S25N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号N82S25N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号N82S25N的Datasheet PDF文件第4页 

与N82S25N相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
N82S25N-B NXP 16X4 STANDARD SRAM, 50ns, PDIP16

获取价格

N82S2708F PHILIPS OTP ROM, 1KX8, 70ns, TTL, CDIP24

获取价格

N82S2708N PHILIPS OTP ROM, 1KX8, 70ns, TTL, PDIP24

获取价格

N82S27F NXP IC 256 X 4 OTPROM, 40 ns, CDIP16, Programmable ROM

获取价格

N82S280I NXP IC 1K X 8 OTPROM, CDIP24, Programmable ROM

获取价格

N82S281I NXP IC 1K X 8 OTPROM, CDIP24, Programmable ROM

获取价格