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N82S25N-B

更新时间: 2024-02-29 23:19:53
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恩智浦 - NXP 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 105K
描述
16X4 STANDARD SRAM, 50ns, PDIP16

N82S25N-B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:50 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T16JESD-609代码:e0
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:16字数:16 words
字数代码:16工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16X4输出特性:OPEN-COLLECTOR
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V子类别:SRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

N82S25N-B 数据手册

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