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N82S23N-B

更新时间: 2024-02-04 09:12:31
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3页 79K
描述
x8 PROM

N82S23N-B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:50 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T16
JESD-609代码:e0内存集成电路类型:OTP ROM
内存宽度:8端子数量:16
字数:32 words字数代码:32
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32X8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
电源:5 V子类别:OTP ROMs
最大压摆率:0.096 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:TTL
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

N82S23N-B 数据手册

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