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N82S23N

更新时间: 2024-11-04 22:29:15
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恩智浦 - NXP 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器OTP只读存储器
页数 文件大小 规格书
3页 135K
描述
256-bit TTL bipolar PROM 32 x 8

N82S23N 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:16
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.33
Is Samacsys:N最长访问时间:50 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T16内存密度:256 bit
内存集成电路类型:OTP ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:16
字数:32 words字数代码:32
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:75 °C
最低工作温度:组织:32X8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:BIPOLAR温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

N82S23N 数据手册

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