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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP24,.6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.6 | 最长访问时间： | 80 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | OTP ROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 75 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | OTP ROMs | 最大压摆率： | 0.175 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | COMMERCIAL EXTENDED |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| N82S191N-B | ETC |
获取价格 |
x8 PROM |
|
| N82S19A | NXP |
获取价格 |
IC 64 X 9 STANDARD SRAM, 35 ns, PQCC28, Static RAM |
|
| N82S19F-B | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM |
|
| N82S19N | PHILIPS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64X9, 35ns, TTL, PDIP28 |
|
| N82S19NB | NXP |
获取价格 |
IC 64 X 9 STANDARD SRAM, 35 ns, PDIP28, Static RAM |
|
| N82S19N-B | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM |
|
| N82S212 | ETC |
获取价格 |
2304 BIT BIPOLAR RAM |
|
| N82S212A | YAGEO |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X9, 45ns, TTL, PQCC28 |
|
| N82S212AN | YAGEO |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X9, 35ns, TTL, PDIP22 |
|
| N82S212AN-B | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM |
|
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