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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 30 ns |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T16 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1024 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 1 | 端子数量： | 16 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1KX1 | |
| 输出特性： | OPEN-COLLECTOR | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP16,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.17 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | TTL |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| N82S110N | PHILIPS | Standard SRAM, 1KX1, 30ns, TTL, PDIP16 |
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| N82S112N | NXP | IC 8 X 4 MULTI-PORT SRAM, 40 ns, PDIP24, Static RAM |
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| N82S112N | PHILIPS | Standard SRAM, 8X4, TTL, PDIP24 |
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| N82S114I | NXP | IC 256 X 8 OTPROM, 60 ns, CDIP24, Programmable ROM |
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| N82S115FA | PHILIPS | OTP ROM, 512X8, 60ns, TTL, CDIP24 |
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| N82S115I | NXP | IC 512 X 8 OTPROM, 60 ns, CDIP24, Programmable ROM |
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