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N82S115N-B

更新时间: 2024-02-25 04:47:33
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管可编程只读存储器OTP只读存储器
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4页 117K
描述
x8 PROM

N82S115N-B 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP24,.6Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:60 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T24
JESD-609代码:e0内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:OTP ROM内存宽度:8
端子数量:24字数:512 words
字数代码:512最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512X8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP24,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE电源:5 V
子类别:OTP ROMs最大压摆率:0.175 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

N82S115N-B 数据手册

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