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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 40 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T16 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 端子数量： | 16 | 字数： | 256 words |
| 字数代码： | 256 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256X1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP16,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | SRAMs | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | TTL |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| N82S116NB | PHILIPS | Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, PDIP16 |
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| N82S117B | NXP | IC 256 X 1 STANDARD SRAM, 40 ns, PDIP16, Static RAM |
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| N82S117F | NXP | Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, CDIP16 |
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| N82S11F | NXP | IC 1K X 1 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP16, Static RAM |
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| N82S11NA | PHILIPS | Standard SRAM, 1KX1, 40ns, TTL, PDIP16 |
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| N82S123 | NXP | 256-bit TTL bipolar PROM 32 x 8 |
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