是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 40 ns |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T16 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 256 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 16 |
字数: | 256 words | 字数代码: | 256 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 75 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256X1 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | NO |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP16,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | SRAMs |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | TTL | 温度等级: | COMMERCIAL EXTENDED |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
N82S116FB | PHILIPS | Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, CDIP16 |
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N82S116NA | PHILIPS | Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, PDIP16 |
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N82S116NB | PHILIPS | Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, PDIP16 |
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N82S117B | NXP | IC 256 X 1 STANDARD SRAM, 40 ns, PDIP16, Static RAM |
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N82S117F | NXP | Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, CDIP16 |
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N82S11F | NXP | IC 1K X 1 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP16, Static RAM |
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