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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 40 ns | JESD-30 代码： | R-XDIP-T16 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 1 | 端子数量： | 16 |
| 字数： | 256 words | 字数代码： | 256 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256X1 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP16,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 子类别： | SRAMs | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | TTL |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| N82S116NA | PHILIPS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, PDIP16 |
|
| N82S116NB | PHILIPS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, PDIP16 |
|
| N82S117B | NXP |
获取价格 |
IC 256 X 1 STANDARD SRAM, 40 ns, PDIP16, Static RAM |
|
| N82S117F | NXP |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, CDIP16 |
|
| N82S11F | NXP |
获取价格 |
IC 1K X 1 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP16, Static RAM |
|
| N82S11NA | PHILIPS |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX1, 40ns, TTL, PDIP16 |
|
| N82S123 | NXP |
获取价格 |
256-bit TTL bipolar PROM 32 x 8 |
|
| N82S123A | NXP |
获取价格 |
256-bit TTL bipolar PROM 32 x 8 |
|
| N82S123AA | NXP |
获取价格 |
IC IC,PROM,32X8,TTL,LDCC,20PIN,PLASTIC, Programmable ROM |
|
| N82S123AA | YAGEO |
获取价格 |
OTP ROM, 32X8, 25ns, Bipolar, PQCC20 |
|
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