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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP24,.6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 60 ns |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T24 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 4096 bit | 内存集成电路类型： | OTP ROM |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 512 words | 字数代码： | 512 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512X8 | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP24,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | OTP ROMs | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | TTL |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| N82S115I | NXP |
获取价格 |
IC 512 X 8 OTPROM, 60 ns, CDIP24, Programmable ROM |
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| N82S115N | NXP |
获取价格 |
IC 512 X 8 OTPROM, 60 ns, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24, Programmable ROM |
|
| N82S115N-B | ETC |
获取价格 |
x8 PROM |
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| N82S116B | NXP |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, PDIP16 |
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| N82S116F | PHILIPS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, CDIP16 |
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| N82S116FB | PHILIPS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, CDIP16 |
|
| N82S116NA | PHILIPS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, PDIP16 |
|
| N82S116NB | PHILIPS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, PDIP16 |
|
| N82S117B | NXP |
获取价格 |
IC 256 X 1 STANDARD SRAM, 40 ns, PDIP16, Static RAM |
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| N82S117F | NXP |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, CDIP16 |
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