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N82S115I

更新时间： 2024-11-26 20:56:07

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		可编程只读存储器 OTP只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	145K
描述
IC 512 X 8 OTPROM, 60 ns, CDIP24, Programmable ROM

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N82S115I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIP, DIP24,.6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.9	最长访问时间：	60 ns
JESD-30 代码：	R-CDIP-T24	JESD-609代码：	e0
内存密度：	4096 bit	内存集成电路类型：	OTP ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	24	字数：	512 words
字数代码：	512	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	75 °C	最低工作温度：
组织：	512X8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP24,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	子类别：	OTP ROMs
最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	BIPOLAR	温度等级：	COMMERCIAL EXTENDED
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
N82S115N	NXP	获取价格	IC 512 X 8 OTPROM, 60 ns, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24, Programmable ROM
N82S115N-B	ETC	获取价格	x8 PROM
N82S116B	NXP	获取价格	Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, PDIP16
N82S116F	PHILIPS	获取价格	Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, CDIP16
N82S116FB	PHILIPS	获取价格	Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, CDIP16
N82S116NA	PHILIPS	获取价格	Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, PDIP16
N82S116NB	PHILIPS	获取价格	Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, PDIP16
N82S117B	NXP	获取价格	IC 256 X 1 STANDARD SRAM, 40 ns, PDIP16, Static RAM
N82S117F	NXP	获取价格	Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, CDIP16
N82S11F	NXP	获取价格	IC 1K X 1 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP16, Static RAM