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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP24,.6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.88 | 最长访问时间： | 40 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 32 bit | 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 8 words | 字数代码： | 8 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 75 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8X4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | TTL |
| 温度等级： | COMMERCIAL EXTENDED | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| N82S114I | NXP | IC 256 X 8 OTPROM, 60 ns, CDIP24, Programmable ROM |
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|
| N82S115FA | PHILIPS | OTP ROM, 512X8, 60ns, TTL, CDIP24 |
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|
| N82S115I | NXP | IC 512 X 8 OTPROM, 60 ns, CDIP24, Programmable ROM |
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|
| N82S115N | NXP | IC 512 X 8 OTPROM, 60 ns, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24, Programmable ROM |
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|
| N82S115N-B | ETC | x8 PROM |
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|
| N82S116B | NXP | Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, PDIP16 |
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|
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