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N16D1618LPAW-75I

更新时间： 2024-11-26 21:11:19

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		动态存储器
页数	文件大小	规格书
25页	176K
描述
Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS,

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N16D1618LPAW-75I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	, WAFER	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.62	最长访问时间：	6 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装等效代码：	WAFER	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.00001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.045 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	Base Number Matches：	1

N16D1618LPAW-75I 数据手册

N16D1618LPAW

512K x 16Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM

Description

These N16D1618LPAW are low power 16,777,216 bits CMOS Synchronous DRAM organized as 2 banks of 524,288 words x 16 bits.

These products are offering fully synchronous operation and are referenced to a positive edge of the clock. All inputs and outputs are

synchronized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve very high bandwidth. All input

and output voltage levels are compatible with LVCMOS.

Features

JEDEC standard 1.8V power supply.

• Auto refresh and self refresh.

• All inputs and outputs referenced to the positive edge of the

system clock.

• All pins are compatible with LVCMOS interface.

• 4K refresh cycle / 64ms.

• Data mask function by DQM.

• Internal dual banks operation.

• Programmable Burst Length and Burst Type.

- 1, 2, 4, 8 or Full Page for Sequential Burst.

- 4 or 8 for Interleave Burst.

• Burst Read Single Write operation.

• Special Function Support.

- PASR(Partial Array Self Refresh)

• Programmable CAS Latency : 2,3 clocks.

• Programmable Driver Strength Control

- Full Strength or 1/2, 1/4 of Full Strength

• Deep Power Down Mode.

- Auto TCSR(Temperature Compensated Self Refresh)

• Automatic precharge, includes CONCURRENT Auto Precharge

Mode and controlled Precharge.

Table1: Ordering Information

Part No.

Clock Freq.

Temperature

VDD/VDDQ

Interface

Package

N16D1618LPAW-75I

133 MHz

-25°C to 85°C

1.8V/1.8V

LVCMOS

Wafer

Enable Semiconductor Corp. reserves the right to change products or specifications without notice.

Ver. A

12 3 4 5 6 7...25

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
N16D1618LPAZ2-10C	NANOAMP	获取价格	DRAM
N16D1618LPAZ2-10I	NANOAMP	获取价格	512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronou
N16D1618LPAZ2-75I	NANOAMP	获取价格	512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronou
N16D1618LPAZ2-80I	NANOAMP	获取价格	DRAM
N16D1625LPAC2-10C	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 8ns, CMOS, PBGA60, GREEN, FBGA-60
N16D1625LPAC2-10I	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 10ns, CMOS, PBGA60, GREEN, FBGA-60
N16D1625LPAC2-75C	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, GREEN, FBGA-60
N16D1625LPAT2-10C	ISSI	获取价格	DRAM,
N16D1625LPAT2-10I	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 10ns, CMOS, PDSO50, GREEN, TSOP2-50
N16D1625LPAT2-10I	NANOAMP	获取价格	DRAM,

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