是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | VFBGA, BGA60,7X15,25 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.75 | 访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 6 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B60 |
长度: | 10.1 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 60 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | VFBGA |
封装等效代码: | BGA60,7X15,25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
座面最大高度: | 1 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流: | 0.00001 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.045 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | BOTTOM | 宽度: | 6.4 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
N16D1625LPAT2-10C | ISSI |
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DRAM, | |
N16D1625LPAT2-10I | ISSI |
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Synchronous DRAM, 1MX16, 10ns, CMOS, PDSO50, GREEN, TSOP2-50 | |
N16D1625LPAT2-10I | NANOAMP |
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DRAM, | |
N16D1625LPAT2-60C | ISSI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, GREEN, TSOP2-50 | |
N16D1625LPAT2-75C | ISSI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, GREEN, TSOP2-50 | |
N16D1625LPAT2-75I | NANOAMP |
获取价格 |
DRAM, | |
N16D1625LPAT2-75I | ISSI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, GREEN, TSOP2-50 | |
N16D1633LPA | NANOAMP |
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512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronou | |
N16D1633LPAC2-10I | NANOAMP |
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512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronou | |
N16D1633LPAC2-60I | NANOAMP |
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512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronou |