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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | VFBGA, BGA60,7X15,25 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 6 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 | 长度： | 10.1 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 60 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 组织： | 1MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VFBGA | 封装等效代码： | BGA60,7X15,25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 电源： | 3/3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 座面最大高度： | 1 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.00001 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.045 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 6.4 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| N16D1633LPAC-60C | NANOAMP |
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DRAM |
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| N16D1633LPAC-60I | NANOAMP |
获取价格 |
DRAM |
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| N16D1633LPAT2-10C | NANOAMP |
获取价格 |
DRAM |
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| N16D1633LPAT2-10I | NANOAMP |
获取价格 |
512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronou |
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| N16D1633LPAT2-60I | NANOAMP |
获取价格 |
512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronou |
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| N16D1633LPAT2-60I | ISSI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, GREEN, TSOP2-50 |
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| N16D1633LPAT2-75I | NANOAMP |
获取价格 |
512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronou |
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| N16D1633LPAZ2-10I | NANOAMP |
获取价格 |
512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronou |
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| N16D1633LPAZ2-70C | NANOAMP |
获取价格 |
DRAM |
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| N16D1633LPAZ2-70I | NANOAMP |
获取价格 |
DRAM |
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