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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | VFBGA, BGA60,7X15,25 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.74 | 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 5.5 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 166 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 |
| 长度： | 10.1 mm | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 60 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -25 °C |
| 组织： | 1MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | VFBGA |
| 封装等效代码： | BGA60,7X15,25 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 座面最大高度： | 1 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.00001 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.055 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 宽度： | 6.4 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| N16D1633LPAC2-75I | NANOAMP |
获取价格 |
512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronou |
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| N16D1633LPAC2-75I | ISSI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, GREEN, FBGA-60 |
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| N16D1633LPAC-60C | NANOAMP |
获取价格 |
DRAM |
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| N16D1633LPAC-60I | NANOAMP |
获取价格 |
DRAM |
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| N16D1633LPAT2-10C | NANOAMP |
获取价格 |
DRAM |
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| N16D1633LPAT2-10I | NANOAMP |
获取价格 |
512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronou |
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| N16D1633LPAT2-60I | NANOAMP |
获取价格 |
512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronou |
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| N16D1633LPAT2-60I | ISSI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, GREEN, TSOP2-50 |
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| N16D1633LPAT2-75I | NANOAMP |
获取价格 |
512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronou |
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| N16D1633LPAZ2-10I | NANOAMP |
获取价格 |
512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronou |
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