是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | GREEN, BGA-42 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.79 | 最长访问时间: | 85 ns |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B42 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 10 mm | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 42 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 2.2 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.75 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
N08L1618C2AB-70I | AMI |
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Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA42, BGA-42 | |
N08L163WC1C | NANOAMP |
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8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 51 | |
N08L163WC1CT1 | NANOAMP |
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8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 51 | |
N08L163WC1CT1-55IL | NANOAMP |
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8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 51 | |
N08L163WC2A | NANOAMP |
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8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 51 | |
N08L163WC2AB2-70I | NANOAMP |
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Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | |
N08L163WC2AB2-85I | NANOAMP |
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Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA48 | |
N08L163WC2C | NANOAMP |
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8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 51 | |
N08L163WC2CZ1 | NANOAMP |
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8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 51 | |
N08L163WC2CZ1-55IL | NANOAMP |
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8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 51 |