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N08L63W2AB27IT

更新时间： 2024-01-12 11:35:52

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
10页	188K
描述
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit

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N08L63W2AB27IT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	85 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	长度：	10 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	2.5/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.00001 A
最小待机电流：	1.8 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.015 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

N08L63W2AB27IT 数据手册

N08L63W2A

8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM

512K × 16 bit

Overview

Features

The N08L63W2A is an integrated memory device

containing a 8 Mbit Static Random Access Memory

organized as 524,288 words by 16 bits. The device

is designed and fabricated using ON

• Single Wide Power Supply Range

2.3 to 3.6 Volts

• Very low standby current

4.0µA at 3.0V (Typical)

Semiconductor’s advanced CMOS technology to

provide both high-speed performance and ultra-low

power. The device operates with two chip enable

(CE1 and CE2) controls and output enable (OE) to

allow for easy memory expansion. Byte controls

(UB and LB) allow the upper and lower bytes to be

accessed independently and can also be used to

deselect the device. The N08L63W2A is optimal

for various applications where low-power is critical

such as battery backup and hand-held devices.

The device can operate over a very wide

• Very low operating current

2.0mA at 3.0V and 1µs(Typical)

• Very low Page Mode operating current

1.0mA at 3.0V and 1µs (Typical)

• Simple memory control

Dual Chip Enables (CE1 and CE2)

Byte control for independent byte operation

Output Enable (OE) for memory expansion

• Low voltage data retention

Vcc = 1.8V

• Very fast output enable access time

25ns OE access time

temperature range of -40 C to +85 C and is

available in JEDEC standard packages compatible

with other standard 512Kb x 16 SRAMs

• Very fast Page Mode access time

= 25ns

AAP

• Automatic power down to standby mode

• TTL compatible three-state output driver

Product Family

Standby

Power

Supply

(Vcc)

Operating

Current (Icc),

Typical

Operating

Current (I_SB),

Part Number

Package Type

Speed

Temperature

Typical

N08L63W2AB

N08L63W2AB2

48 - BGA

70ns@2.7V

85ns @ 2.3V

-40^oC to +85^oC

2.3V - 3.6V

4 µA

2 mA @ 1MHz

48 - BGA Green

Pin Configuration

Pin Descriptions

A₀

A₃

A₂

Pin Name

A₀-A₁₈

CE1, CE2

I/O₀-I/O₁₅

Pin Function

A₁

A₄

A₆

A₇

CE2

Address Inputs

Write Enable Input

Chip Enable Input

I/O₈

I/O₀

CE1

I/O₉I/O₁₀A₅

V_SSI/O₁₁A₁₇

I/O₁I/O₂

I/O₃V_CC

Output Enable Input

Lower Byte Enable Input

Upper Byte Enable Input

Data Inputs/Outputs

V_CCI/O₁₂

I/O₁₄I/O₁₃A₁₄

A₁₆I/O₄V_SS

A₁₅I/O₅I/O₆

I/O₁₅

A₁₈

A₁₂

A₉

A₁₃

A₁₀

I/O₇

A₈

A₁₁

V_CC

V_SS

Power

Ground

Not Connected

48 Pin BGA (top)

8 x 10 mm

July 2008 - Rev. 8

Publication Order Number:

N08L63W2A/D

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
N08L63W2AB7I	ONSEMI	获取价格	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 51
N08L63W2AB7IT	ONSEMI	获取价格	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 51
N08M1618L1A	AMI	获取价格	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS
N08M1618L1AB	AMI	获取价格	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS
N08M1618L1AB-150I	AMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 150ns, CMOS, PBGA48, BGA-48
N08M1618L1AB-150I	NANOAMP	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 150ns, CMOS, PBGA48
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