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MUR8100

更新时间: 2024-11-20 00:02:03
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SIRECTIFIER 二极管快恢复二极管超快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 153K
描述
快速恢复二极管Fast Recovery Diodes,超快恢复二极管Ultra Fast Recovery Diodes,Tj = -40°C ~ +125°C, Tjm = +125°C。

MUR8100 数据手册

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MUR8100  
Ultra Fast Recovery Diodes  
C
A
Dimensions TO-220AC  
C
Dim.  
Inches  
Min. Max.  
Milimeter  
Min. Max.  
12.70 14.73  
14.23 16.51  
9.66 10.66  
A
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
Q
0.500 0.580  
0.560 0.650  
0.380 0.420  
0.139 0.161  
2.300 0.420  
0.100 0.135  
0.045 0.070  
3.54  
5.85  
2.54  
1.15  
-
0.64  
4.83  
3.56  
0.38  
2.04  
0.64  
4.08  
6.85  
3.42  
1.77  
6.35  
0.89  
5.33  
4.82  
0.56  
2.49  
1.39  
C(TAB)  
A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode  
-
0.250  
0.025 0.035  
0.190 0.210  
0.140 0.190  
0.015 0.022  
0.080 0.115  
0.025 0.055  
VRSM  
V
VRRM  
V
MUR8100  
1000  
1000  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
Unit  
TVJ=TVJM  
25  
12  
150  
IFRMS  
IFAVM  
IFRM  
TC=100oC; rectangular, d=0.5  
A
A
tp<10us; rep. rating, pulse width limited by TVJM  
TVJ=45oC  
t=10ms (50Hz), sine  
t=8.3ms (60Hz), sine  
t=10ms(50Hz), sine  
t=8.3ms(60Hz), sine  
75  
80  
65  
70  
IFSM  
TVJ=150oC  
TVJ=45oC  
t=10ms (50Hz), sine  
t=8.3ms (60Hz), sine  
t=10ms(50Hz), sine  
t=8.3ms(60Hz), sine  
28  
27  
21  
20  
I2t  
A2s  
oC  
TVJ=150oC  
-40...+150  
150  
-40...+150  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
Ptot  
Md  
TC=25oC  
78  
0.4...0.6  
2
W
Nm  
g
mounting torque  
Weight  

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