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MUR8100E

更新时间: 2024-11-20 20:35:07
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 781K
描述
8A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE

MUR8100E 技术参数

是否无铅: 含铅生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.71
Is Samacsys:N应用:ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSFM-T2JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED最大非重复峰值正向电流:100 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最大输出电流:8 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:COMMERCIAL最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向恢复时间:0.11 µs表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

MUR8100E 数据手册

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