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MUR810F

更新时间： 2024-02-24 09:56:27
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扬杰 - YANGJIE 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 167K
描述
Ultra-Fast Recovery Rectifier Diodes

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MUR810F 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.1
应用：ULTRA FAST RECOVERY POWER外壳连接：ANODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.975 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：5 µA最大反向恢复时间：0.035 µs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

MUR810F 数据手册

 浏览型号MUR810F的Datasheet PDF文件第2页 
MUR810F THRU MUR860F  
超快恢复整流二极管 Ultra-Fast Recovery Rectifier Diodes  
■特征 Features  
■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark  
●
●
●
●
Io  
8.0A  
VRRM  
100V~600V  
ITO-220AC  
玻璃钝化芯片 Glass passivated chip  
耐正向浪涌电流能力高  
.185(4.7)  
MAX  
.134(3.4)  
.113(3.0)  
.406(10.3)  
MAX  
.124(3.16)  
MAX  
DIA  
High surge forward current capability  
.112(2.85)  
.100(2.55)  
.606(15.5)  
.583(14.8)  
.161(4.1)  
MAX  
PIN1  
2
.110(2.8)  
.098(2.5)  
.55(1.4)  
MAX  
.035(0.9)  
MAX  
.203(5.15)  
.195(4.95)  
.543(13.8)  
.512(13.2)  
■用途 Applications  
● 快速整流用  
.030(0.76)  
MAX  
High speed switching  
PIN1  
PIN2  
CASE  
Dimensions in inches and (millimeters)  
■
极限值（绝对最大额定值）  
Limiting Values（Absolute Maximum Rating）  
MUR  
810F 815F 820F 840F 860F  
参数名称  
Item  
符号 单位  
Symbol Unit  
测试条件  
Conditions  
反向重复峰值电压  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
VRRM  
Io  
V
A
A
100  
150 200 400 600  
60HZ 正弦波，电阻负载，Ta=25℃  
60HZ sine wave, R- load, Ta=25℃  
平均整流输出电流  
Average Rectified Output Current  
8
60HZ正弦波，一个周期，Ta=25℃  
60HZ sine wave, 1 cycle, Ta=25℃  
正向（不重复）浪涌电流  
Surge(Non-repetitive)Forward Current  
IFSM  
125  
正向浪涌电流的平方对电流浪涌持续  
时间的积分值  
Current Squared Time  
I2t  
A2s  
65  
1ms≤t＜8.3ms T =25℃  
j
贮存温度  
Storage Temperature  
Tstg  
Tj  
-55 ~ +150  
-55 ~ +150  
℃
℃
结温  
Junction Temperature  
■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定）  
Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified）  
MUR  
参数名称  
Item  
符号  
Symbol  
单位  
Unit  
测试条件  
Test Condition  
810F 815F 820F 840F 860F  
正向峰值电压  
Peak Forward Voltage  
VFM  
IRRM1  
IRRM2  
V
μA  
ns  
I FM =8.0A  
0.95  
1.25  
1.7  
10  
T =25℃  
反向峰值电流  
Peak Reverse Current  
a
VRM =VRRM  
500  
T =125℃  
a
IF=0.5A IRM=1A  
IRR=0.25A  
反向恢复时间  
Reverse Recovery Time  
Trr  
35  
50  
热阻  
2.0  
结和壳之间  
Between junction and case  
℃/W  
R
θJ-C  
Thermal Resistance  
扬州扬杰电子科技股份有限公司  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
Document Number 0158  
Rev. 1.0, 22-Sep-11  
www.21yangjie.com  
12

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与MUR810F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MUR810F_17 YANGJIE

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 		Ultra-Fast Recovery Rectifier Diodes
MUR810F-BP-HF MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 2 PIN
MUR810G ONSEMI

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 		ULTRAFAST RECTIFIERS 8.0 AMPERES, 50−600 VOLTS
MUR8120 THINKISEMI

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 		10 Ampere,1200 Volt SwitchMode Single Fast Recovery Epitaxial Diode
MUR8120 MCC

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MUR8120 YANGJIE

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 		TO-220AC
MUR8120 BL Galaxy Electrical

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 		8A,1200V,Super Fast Rectifiers
MUR8120(F) GOOD-ARK

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 		Rectifier Diode,
MUR8120D YANGJIE

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 		TO-252
MUR8120F GOOD-ARK

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 		Ultrafast Recovery Planar Diode

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