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MUR820

更新时间： 2024-11-20 05:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管功效局域网
页数 文件大小 规格书
7页 109K
描述
Ultrafast Rectifier, 8 A FRED PtTM

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MUR820 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AC包装说明：R-PSFM-T2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.31
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：ULTRA FAST RECOVERY HIGH POWER外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.975 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.035 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MUR820 数据手册

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MUR820  
Vishay High Power Products  
Ultrafast Rectifier,  
8 A FRED PtTM  
FEATURES  
• Ultrafast recovery time  
Base  
cathode  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
• 175 °C operating junction temperature  
• Designed and qualified for industrial level  
1
3
TO-220AC  
Cathode Anode  
DESCRIPTION/APPLICATIONS  
MUR.. series are the state of the art ultrafast recovery  
rectifiers specifically designed with optimized performance of  
forward voltage drop and ultrafast recovery time.  
The planar structure and the platinum doped life time control,  
guarantee the best overall performance, ruggedness and  
reliability characteristics.  
PRODUCT SUMMARY  
trr  
IF(AV)  
VR  
25 ns  
8 A  
These devices are intended for use in the output rectification  
stage of SMPS, UPS, dc-to-dc converters as well as  
freewheeling diode in low voltage inverters and chopper  
motor drives.  
200 V  
Their extremely optimized stored charge and low recovery  
current minimize the switching losses and reduce over  
dissipation in the switching element and snubbers.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
IF(AV)  
TEST CONDITIONS  
MAX.  
UNITS  
Peak repetitive reverse voltage  
Average rectified forward current  
Non-repetitive peak surge current  
Peak repetitive forward current  
Operating junction and storage temperatures  
200  
V
Total device, rated VR, TC = 150 °C  
Rated VR, square wave, 20 kHz, TC = 150 °C  
8
100  
IFSM  
A
IFM  
16  
TJ, TStg  
- 65 to 175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 µA  
IF = 8 A  
200  
-
-
V
-
-
-
-
-
-
-
-
0.975  
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 8 A, TJ = 150 °C  
0.895  
VR = VR rated  
-
5
Reverse leakage current  
µA  
TJ = 150 °C, VR = VR rated  
VR = 200 V  
-
250  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
25  
8.0  
-
-
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
Document Number: 93941  
Revision: 24-Jun-08  
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
1234567

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MUR820 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
VS-MUR820PBF VISHAY

类似代替

 DIODE 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2, Rectifier
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