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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.72 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1:1 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 0.25 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MUN2112RT1 | LRC |
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Bias Resistor Transistor |
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| MUN2112RT1 | ETL |
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Bias Resistor Transistor |
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| MUN2112T1 | MOTOROLA |
获取价格 |
PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
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| MUN2112T1 | ONSEMI |
获取价格 |
Bias Resistor Transistor |
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| MUN2112T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Bias Resistor Transistor |
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| MUN2112T3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59 |
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| MUN2113 | WEITRON |
获取价格 |
Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
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| MUN2113 | ONSEMI |
获取价格 |
Digital Transistors (BRT) R1 = 47 k, R2 = 47 k |
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| MUN2113RT1 | ETL |
获取价格 |
Bias Resistor Transistor |
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| MUN2113RT1 | LRC |
获取价格 |
Bias Resistor Transistor |
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