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MTP15N15L

更新时间: 2024-11-17 03:25:23
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摩托罗拉 - MOTOROLA 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 66K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 150V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

MTP15N15L 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.82外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (ID):15 A最大漏源导通电阻:0.25 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:100 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON

MTP15N15L 数据手册

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