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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.38 |
| 其他特性： | LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 550 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | 最大漏源导通电阻： | 12 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 65 ns | 最大开启时间（吨）： | 35 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP1N60 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field Effect Transister N-Channel Enhancement Mode Silicon Gate |
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| MTP1N60 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail |
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| MTP1N60E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 8.0 OHM |
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| MTP1N80E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 12 OHMS |
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| MTP1N95 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 950V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| MTP200 | NELLSEMI |
获取价格 |
Three-Phase Bridge Rectifier, 200A |
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| MTP200_17 | NELLSEMI |
获取价格 |
Three-Phase Bridge Rectifier |
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| MTP20008 | NELLSEMI |
获取价格 |
Three-Phase Bridge Rectifier |
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| MTP20008D | NELLSEMI |
获取价格 |
Three-Phase Bridge Rectifier |
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| MTP20010 | NELLSEMI |
获取价格 |
Three-Phase Bridge Rectifier |
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